Simcenter T3STER 热试验 | 半导体热特性测试仪 · 无损瞬态热测试 | 今宏科技
热试验 · 半导体热特性测试
Simcenter Micred T3STER 是西门子高性能无损瞬态热测试仪，专为二极管、双极型晶体管、功率 MOSFET、IGBT、功率 LED 等各类半导体封装器件及多晶片组件提供精准热特性分析。相较于传统稳态测试方法，它可更高效地捕获器件真实热瞬态响应，测温精度达 ±0.01°C、时间分辨率高达 1μs，能够捕捉细微且快速的热变化过程，是半导体器件热性能评估与可靠性验证的理想工具。
三阶段热特性测试能力
热瞬态测试
设备可直接实时连续采集器件真实加热与冷却曲线，还原热瞬态响应，测试精度与效率显著优于传统稳态法。单一样品仅需单次测量即可获得可靠热指标，测温精度 ±0.01°C、时间分辨率 1μs，捕捉细微且快速的热变化过程。
结构函数分析
依托结构函数分析，系统可将测试结果后处理为直观图谱，清晰呈现热流路径上各封装结构对应的热阻与热容分布，为热路径诊断提供可靠依据。T3STER 源自 MicReD 团队（JESD51-14 结壳热阻测试标准的制定者），热测试方法经过权威标准验证。
热模型校准与故障检测
T3STER 适用于器件应力试验前后的故障检测与对比分析，支持测量数据导出用于热仿真模型校准，可显著提升 Simcenter Flotherm 等热仿真模型的精度与热设计可靠性，为电子散热设计提供实测驱动的数据支撑。
核心规格与标准
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测温精度：±0.01°C，无损瞬态热测试，无需破坏样品即可完成热特性表征。
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时间分辨率：1μs，可捕捉微秒级的热变化过程，还原器件真实加热与冷却曲线。
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结构函数分析：将测试结果后处理为热阻-热容分布图谱，定位热流路径上各封装结构的热阻。
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适用器件：二极管、双极型晶体管、功率 MOSFET、IGBT、功率 LED、半导体封装器件及多晶片组件。
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标准合规：符合 JEDEC JESD51 系列标准，T3STER 技术源头 MicReD 是 JESD51-14 结壳热阻测试标准的制定者。
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模型校准：测量数据可导出用于 Simcenter Flotherm 等热仿真模型校准，提升热设计精度。
